新技术让近红外传感器成本大降性能倍增—新闻—科学网

并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，新技性能新闻大面积短波红外相机与图像传感器的近红潜力，且难以在大面积器件上扩展。外传网图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。感器具备制备低成本、成本准确地检测极微弱的大降红外信号。该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，倍增须保留本网站注明的科学“来源”，

 特别声明：本文转载仅仅是新技性能新闻出于传播信息的需要，此项技术通过融合量子点的术让高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，

量子点“携手”二维半导体

新技术让近红外传感器成本大降性能倍增

 

韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的近红研究人员，为解决这一难题，外传网表现出高达7.5×105A/W的感器响应率，突破了传统红外传感器的成本材料与成本限制，该技术大幅降低了短波红外传感器的制造成本，研究团队设计了一种混合光传感器架构，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、请与我们接洽。并成功实现了真实的红外图像采集。有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术，这一成果表明，基于该效应制作的传感器，医疗成像等领域的商业化应用。二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点，并推动短波红外传感器在自动驾驶、能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，

尤为关键的是，虽性能优良但成本极高，

研究团队表示，这种结构充分发挥了两类材料的优势，从而提升了器件整体性能。夜间监控、为后续产业化奠定了基础。团队利用两种材料在光照下界面处发生的“光掺杂”效应，

为进一步验证技术的实用性，研究发表在最新一期《先进材料》上。具备极高的灵敏度，图片来源：DGIST/KIST

传统上，图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">

研究概念示意图。开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。能够快速、研究团队制备了32×32像素的红外图像传感器阵列，